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BUZ31中文资料

  • 大小：88.68KB
  • 厂家：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述：SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：200 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：14.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.2 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 封装：Tube
  • 下降时间：60 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：95 W
  • 上升时间：50 ns
  • 工厂包装数量：50
  • 典型关闭延迟时间：150 ns
  • 零件号别名：BUZ31XK

BUZ31供应商

更新时间:2022-12-31 18:53:09
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